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平面結(jié)構(gòu)硅MOS

平面結(jié)構(gòu)硅MOS，具有可靠性高，成本低，應用廣泛等特點。但是當客戶需要更低內(nèi)阻（比如小于300毫歐），更低開關損耗時，可以選擇超結(jié)硅MOS，甚至是碳化硅MOS，氮化鎵MOS等第三代半導體器件